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台积电取得存储器器件及其形成方法专利，实现存储器器件的高效形成
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金融界2023年12月25日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“存储器器件及其形成方法“，授权公告号CN113421603B，申请日期为2021年3月。专利摘要显示，存储器器件包括编程栅极条、读取栅极条和一位存储器单元的阵列。每个一位存储器单元包括反熔丝结构、晶体管、端子导体、一组第一编程导线和位连接件。反熔丝结构具有位于有源区中的第一半导体区域上面的第一介电层，该第一半导体区域位于编程栅极条和有源区的交点处。晶体管具有位于读取栅极条和有源区的交点处的有源区中的沟道区域。端子导体位于有源区中的晶体管的端子区域上面。该组第一编程导线通过一组一个或多个栅极通孔连接件导电地连接至编程栅极条。位连接件通过一个或多个端子通孔连接件导电地连接至端子导体。本发明的实施例还涉及存储器器件的形成方法。
金融界2023-12-25
台积电取得半导体泄漏分析专利，可识别单元邻接情况
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金融界2023年12月25日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“用于半导体器件的泄漏分析的方法和系统”的专利，授权公告号CN111444669B，申请日期为2020年1月。专利摘要显示，该方法用于计算半导体器件中的边界泄漏。检测第一单元和第二单元之间的边界，该第一单元和第二单元在该边界周围彼此邻接。识别与第一单元和第二单元的单元边缘相关联的属性。基于与第一单元和第二单元的单元边缘相关联的属性来识别单元邻接情况。基于与单元邻接情况相关联的泄漏电流值和与单元邻接情况相关联的泄漏概率来计算第一单元和第二单元之间的预期边界泄漏。本发明的实施例还涉及用于半导体器件的泄漏分析的方法和系统。
金融界2023-12-25
机构：Q3全球晶圆代工行业市场份额台积电以59%占据主导地位
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于N3的产能提升和智能手机的补货需求，台积电以59%的市场份额占据了主导地位。排在第二位的是三星Foundry，占13%的份额。联电、格芯和中芯国际的市场份额相近，各占6%左右。
金融界2023-12-24
台积电申请半导体器件及其形成方法专利，实现形成半导体器件的新方法
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金融界2023年12月22日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其形成方法“，公开号CN117276279A，申请日期为2023年8月。专利摘要显示，本发明的实施例提供了一种形成半导体器件的方法，包括：形成第一晶体管和堆叠在第一晶体管上的第二晶体管；形成与第一晶体管和第二晶体管相邻的第一开口；在第一开口中形成栅极隔离层；在栅极隔离层上形成导电层，导电层位于第一开口中；在导电层中形成切口区域；在切口区域中的导电层上形成介电层；形成与第二晶体管和导电层接触的前侧源极/漏极接触件；以及形成与第一晶体管和导电层接触的背侧源极/漏极接触件。本发明的实施例还提供了半导体器件。
金融界2023-12-22
台积电申请形成半导体器件的方法和半导体结构专利，实现在衬底上形成有源区域并在有源区域上方形成互连结构
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金融界2023年12月22日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“形成半导体器件的方法和半导体结构“，公开号CN117276201A，申请日期为2023年8月。专利摘要显示，提供了半导体结构及其形成方法。根据本发明的实施例的形成半导体器件的方法包括在衬底上形成有源区域，在有源区域上方形成互连结构，互连结构包括多个介电层和设置在介电层内的保护环，蚀刻穿过互连结构和有源区域的至少第一部分的开口，开口延伸进入衬底中，以及在开口内形成通孔结构。在沿着垂直于衬底的顶表面的方向观察时，通孔结构由保护环围绕。
金融界2023-12-22
台积电申请集成电路器件及其形成方法专利，实现弹簧连接件与焊膏的电耦接且物理耦接
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金融界2023年12月22日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“集成电路器件及其形成方法“，公开号CN117276097A，申请日期为2023年8月。专利摘要显示，一种形成集成电路器件的方法包括在第一封装组件的第一接触焊盘上方沉积焊膏。将第二封装组件的弹簧连接件与焊膏对准。回流焊膏，以将第二封装组件的弹簧连接件电耦接且物理耦接至第一封装组件的第一接触焊盘。本发明的实施例还提供了集成电路器件。
金融界2023-12-22
台积电申请半导体封装体及其形成方法专利，提高半导体封装体的稳定性
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金融界2023年12月22日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“半导体封装体及其形成方法“，公开号CN117276243A，申请日期为2023年8月。专利摘要显示，一种半导体封装体，包括：一封装基底，包括：一基底核心；一上重布线层，设置于基底核心第一侧；以及一下重布线层，设置于基底核心一相对的第二侧；一半导体装置，垂直堆叠于封装基底上，并与之电连接；以及一上加固层，嵌入于半导体装置与基底核心之间的上重布线层内，上加固层的杨氏模数高于上重布线层的杨氏模数。
金融界2023-12-22
台积电申请封装件及其形成方法专利，实现器件管芯的有效接合
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金融界2023年12月22日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“封装件及其形成方法“，公开号CN117276191A，申请日期为2023年8月。专利摘要显示，一种形成封装件的方法包括：通过面对面接合将第一器件管芯接合至第二器件管芯，其中，第二器件管芯位于器件晶圆中，形成间隙填充区域以环绕第一器件管芯，对器件晶圆执行背侧研磨工艺以露出第二器件管芯中的第一贯通孔，以及在器件晶圆的背侧上形成再分布结构。再分布结构通过第二器件管芯中的第一贯通孔电连接至第一器件管芯。将支撑衬底接合到第一器件管芯。本发明的实施例还提供了封装件。
金融界2023-12-22
台积电申请半导体结构及其形成方法专利，半导体结构包括光学中介层和导电连接件
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金融界2023年12月22日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法“，公开号CN117270117A，申请日期为2023年8月。专利摘要显示，半导体结构包括：光学中介层，具有位于第一介电层中的至少一个第一光子器件和位于第二介电层中的至少一个第二光子器件，其中，第二介电层设置在第一介电层之上。半导体结构还包括：第一管芯，设置在光学中介层上并且电连接至光学中介层；第一衬底，位于光学中介层下面；以及导电连接件，位于第一衬底下面。本申请的实施例还涉及形成半导体结构的方法。
金融界2023-12-22
台积电申请半导体结构和制造半导体器件的方法专利，实现半导体结构的优化
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金融界2023年12月22日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“半导体结构和制造半导体器件的方法“，公开号CN117276269A，申请日期为2023年8月。专利摘要显示，根据一些实施例，本发明的实施例提供了半导体结构。半导体结构包括具有第一电路区域和第二电路区域的半导体衬底、包括设置在第一电路区域中的第一栅极堆叠件的第一晶体管、包括设置在第二电路区域中的第二栅极堆叠件的第二晶体管、以及设置在第一电路区域和第二电路区域之间的保护环结构。第一栅极堆叠件和第二栅极堆叠件具有不同的材料组成。保护环结构完全围绕第二电路区域。本发明的实施例还提供了制造半导体器件的方法。
金融界2023-12-22

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