台积电申请形成半导体器件的方法和半导体结构专利，实现在衬底上形成有源区域并在有源区域上方形成互连结构lg...

摘要：金融界2023年12月22日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“形成半导体器件的方法和半导体结构“，公开号CN117276201A，申请日期为2023年8月。专利摘要显示，提供了半导体结构及其形成方法。根据本发明的实施例的形成半导体器件的方法包括在衬底上形成有源区域，在有源区域上方形成互连结构，互连结构包括多个介电层和设置在介电层内的保护环，蚀刻穿过互连结构和有源区域的至少第一部分的开口，开口延伸进入衬底中，以及在开口内形成通孔结构。在沿着垂直于衬底的顶表面的方向观察时，通孔结构由保护环围绕。