台积电申请半导体封装体及其形成方法专利，提高半导体封装体的稳定性lg...

摘要：金融界2023年12月22日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“半导体封装体及其形成方法“，公开号CN117276243A，申请日期为2023年8月。专利摘要显示，一种半导体封装体，包括：一封装基底，包括：一基底核心；一上重布线层，设置于基底核心第一侧；以及一下重布线层，设置于基底核心一相对的第二侧；一半导体装置，垂直堆叠于封装基底上，并与之电连接；以及一上加固层，嵌入于半导体装置与基底核心之间的上重布线层内，上加固层的杨氏模数高于上重布线层的杨氏模数。