台积电取得存储器器件及其形成方法专利，实现存储器器件的高效形成lg...

摘要：金融界2023年12月25日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“存储器器件及其形成方法“，授权公告号CN113421603B，申请日期为2021年3月。专利摘要显示，存储器器件包括编程栅极条、读取栅极条和一位存储器单元的阵列。每个一位存储器单元包括反熔丝结构、晶体管、端子导体、一组第一编程导线和位连接件。反熔丝结构具有位于有源区中的第一半导体区域上面的第一介电层，该第一半导体区域位于编程栅极条和有源区的交点处。晶体管具有位于读取栅极条和有源区的交点处的有源区中的沟道区域。端子导体位于有源区中的晶体管的端子区域上面。该组第一编程导线通过一组一个或多个栅极通孔连接件导电地连接至编程栅极条。位连接件通过一个或多个端子通孔连接件导电地连接至端子导体。本发明的实施例还涉及存储器器件的形成方法。