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台积电取得铁电随机存取存储器器件及其形成方法专利，实现高效形成铁电随机存取存储器器件

金融界2024年1月13日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“铁电随机存取存储器器件及其形成方法“，授权公告号CN113594175B，申请日期为2021年7月。专利摘要显示，形成铁电随机存取存储器(FeRAM)器件的方法包括：在衬底上方形成层堆叠件，其中，层堆叠件包括第一介电材料和字线(WL)材料的交替层；形成垂直延伸穿过层堆叠件的第一沟槽；填充第一沟槽，其中，填充第一沟槽包括在第一沟槽中形成铁电材料、铁电材料上方的沟道材料和沟道材料上方的第二介电材料；在填充第一沟槽之后，形成垂直延伸穿过层堆叠件的第二沟槽，第二沟槽与第一沟槽交错；以及填充第二沟槽，其中，填充第二沟槽包括在第二沟槽中形成铁电材料、铁电材料上方的沟道材料和沟道材料上方的第二介电材料。本申请的实施例还涉及铁电随机存取存储器(FeRAM)器件。

金融界01-13 16:04

台积电取得半导体器件及其形成方法专利，专利技术能实现半导体器件及其形成方法

金融界2024年1月13日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体器件及其形成方法“，授权公告号CN113745220B，申请日期为2021年6月。专利摘要显示，示例性器件包括：隔离区域，位于衬底上；第一鳍，在隔离区域的顶面之上延伸；栅极结构，位于第一鳍上；以及外延源极/漏极区域，与栅极结构相邻，外延源极/漏极区域具有第一主体部分和第一突出部分，第一主体部分设置在第一鳍中，第一突出部分设置在第一鳍的第一侧壁上和隔离区域的顶面之下。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

金融界01-13 15:56

台积电取得半导体器件及其制造方法专利，专利技术能实现具有双侧源极/漏极接触结构的半导体器件

金融界2024年1月13日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体器件及其制造方法”，授权公告号CN113764414B，申请日期为2021年7月。专利摘要显示，公开了具有双侧源极/漏极(S/D)接触结构的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：第一S/D区域和第二S/D区域；纳米结构沟道区域，设置在第一S/D区域和第二S/D区域之间；栅极结构，围绕纳米结构沟道区域；第一接触结构和第二接触结构，设置在第一S/D区域和第二S/D区域的第一表面上；第三接触结构，设置在第一S/D区域的第二表面上；以及蚀刻停止层，设置在第二S/D区域的第二表面上。第三接触结构包括：金属硅化物层；氮化硅化物层，设置在金属硅化物层上；以及导电层，设置在氮化硅化物层上。

金融界01-13 15:56

台积电的重要性

有外国分析师发文，认为台积电是全球最重要的公司之一。因为芯片在这个时代的重要性。哪怕是家电都有芯片需求。作者：Tangerine Capital 台积电投资论点台积电是当今经济的核心。这是因为半导体现在是几乎所有类型的电子设备的关键部分，从汽车到智能手机，甚至像冰箱这样的家电也依赖于这个行业，芯片短缺影响了169个不同的行业。因此，美国推出《芯片法案》以及其他政府在这一领域进行大量投资也就不足为奇了。到目前为止，优势最大的公司是台积电。台积电有真正的竞争对手吗？在作者看来，三星是唯一一家与台积电有一定竞争力的公司，即使他们在先进芯片方面也远远落后，并且通过在不太先进的芯片上大幅降价来竞争。然而，三星在4nm和5nm芯片方面是台积电的替代品。但如果三星想在未来的人工智能芯片上竞争，那么他们需要成为2nm或1.4nm的领导者。他们在这个先进的领域很难超越台积电，因为台积电拥有如此大的知识优势和更大的产能。另一方面，美国和欧洲迫切需要一家具有竞争力的半导体制造商，而英特尔则具有这种优势。因此，芯片法案的资金和欧盟的各种补贴很可能最终落在英特尔身上。甚至以色列也已经决定开始资助英特尔。但即使拥有无限的资源，也无法短时间与台积电多年的经验和专业知识竞争。另外，如果报道属实，英特尔甚至将部分产品外包给了台积电。仅这一点就将进一步证明台积电的竞争优势。台积电的先进芯片对智能手机、笔记本电脑、汽车、人工智能、高性能计算等领域至关重要。换句话说，芯片短缺一度重创了汽车行业，因此台积电被更多人所知。还有很多公司依赖台积电。例如，博通90%的晶圆来自台积电。英伟达和AMD也严重依赖台积电。如果台积电停止生产芯片，全球经济将陷入危机。各国政府甚至同意台积电在台湾以外的工厂只生产12/16纳米和22/28纳米等较不先进的芯片，以确保芯片供应。此外，它们可能比台湾制造的更贵。某种程度上说，这才是真正的定价权。但日本、德国和美国都知道，市场需求势不可挡，生产达到或接近台积电标准的芯片的门槛很高。未来依赖于台积电产品的行业数量只会增加，因为我们可能只是周期的开始。台积电的指标和资产负债表大多数时候，人们经常会谈论台积电强劲的毛利率，但净利润率更令人印象深刻。很多人都说这家公司属于资本密集型行业，他们的净收入利润率超过40%。这真的很了不起。尽管竞争对手试图在价格上展开竞争，但台积电仍有很大的空间实现高利润。仅仅是西方世界和台湾之间的工资差距就是一个巨大的竞争优势。如果台积电愿意的话，它的售价或许可以与任何竞争对手匹敌。但由于他们的产品好得多，他们不需要打价格战。他们还拥有令人印象深刻的资产负债表。480亿美元现金，只有290亿美元的长期债务。如果他们愿意，他们可以随时还清所有债务。甚至2022年12月的净利润也大于长期债务。因此，长期债务少于1倍净利润。同样，这是财务状况良好的标志。本月晚些时候公布的第四季度结果可能会显示，2023年也会出现这种情况。台积电的资本配置和ROIC 来源：YCharts 台积电的高ROIC进一步加强了该公司具有强大竞争优势的情况，因为他们能够产生远高于平均水平的资本回报。由于台积电的利息支出较低，其债务成本确实很低，仅为1.5%，但其股权成本约为11%，因此WACC约为10%。因此，目前的ROIC-WACC息差非常高，为12%。因此，占销售额8%左右的研发投资正在开花结果。如果我们看一下所有者收益的简化版本，即股息收益率+每股收益增长，我们得到以下数据：股息收益率：1.80% 每股盈利增长率（5年）：20.51% 投资者收益：22.31% 另一个强劲的数字应该会让现有股东满意。自2012年以来，公司的股息增长率为每年12.61%，也是一支相对较好的股息成长型股票。来源：YCharts 另一件应该让现有股东满意的事情是，该公司在过去5年的流通股数量几乎相同。没有过多的股票期权计划（SBC），也没有股东稀释。一个非常甜蜜的场景。台积电的估值来源：YCharts 作者喜欢使用EV/EBIT的倍数，因为它与巴菲特使用的税前倍数相对相似，而且伯克希尔哈撒韦的大部分大型投资历史上都在13倍的范围内。因此，台积电15倍的市盈率绝不是高估。相反，它的价值是合理的，有潜力成为相当有吸引力的价值。5年期EBIT复合年增长率为20.58%，10年复合年增长率为16.84%。这些增长率通常应该证明更高的市盈率是合理的。风险来源：YCharts 明显的风险是政治和地缘政治风险结合贸易紧张局势。但这种风险一直存在，那些愿意冒险的投资者在过去的10年里得到了丰厚的回报，正如我们在上面的图表中所看到的。因此，这种情况为投资者创造了巨大的机会。另一个风险已经变得小一些，那就是集中化风险。在21财年，10家最大的客户占净销售额的74%，仅最大的客户就占25%左右。然而，由于向高性能计算的转变，在最近的20-F文件中，前10名仅占净收入的68%，最大客户仅占23%。这种趋势可能会持续下去。此外，台积电的原材料占其晶圆需求的95%，但它只从六家不同的公司获得原材料。这是两家台湾公司，两家日本公司，德国和新加坡各一家。因此，即使是像台积电这样的公司也要依赖其他公司。此外，阿斯麦对半导体生产和设计的顺利进行也非常重要。结论一个有趣的事实是，沙特阿拉伯控制着约12%的石油市场，几十年来，石油市场推动了全球经济的崛起，并为该国提供了可观的财富。与此同时，台积电在未来几十年可能成为全球经济的驱动力，占有66%的市场份额。所以这家公司的重要性再怎么强调都不为过。 $台积电(TSM)$

老虎证券01-12 18:30

港股周报：重磅数据来袭，恒指能否扭转颓势？

P、失业率等经济数据； 3. 下周四，台积电将发布四季报，业绩展望预计对半导体板块产生重大影响。 $腾讯控股(00700)$ $美团-W(03690)$ $东方甄选(01797)$ $小鹏汽车-W(09868)$ $小米集团-W(01810)$

老虎证券01-12 17:30

台积电申请半导体器件沉积方法专利，实现在凹部侧壁表面上沉积导电材料

金融界2024年1月12日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“半导体器件的沉积方法“，公开号CN117393435A，申请日期为2023年5月。专利摘要显示，本公开涉及半导体器件的沉积方法。一种方法，包括：将第一材料沉积在衬底中的凹部的侧壁表面上，其中，第一材料是导电材料；在沉积第一材料之后，使用等离子体辅助沉积工艺在凹部的底表面上沉积第二材料；以及在沉积第二材料之后，去除第一材料。

金融界01-12 16:57

沪指翻红，半导体材料走强，半导体材料ETF(562590)涨超1%

引领半导体反弹周期 11月10日周五，台积电公布10月营收报告。报告显示，10月台积电合并营收为2432.03亿元新台币(约合549.64亿元人民币)，环比增长34.8%，较上年同期增长15.7%，而这也为台积电自今年2月以来单月营收首次同比正增长。 11月13日媒体称，当前市场对台积电CoWoS需求旺盛，除英伟达已经在10月确定扩大订单外，苹果、AMD、博通、Marvell等重量级客户近期同样大幅追单。业界人士分析称，台积电五大客户大追单，表明AI应用已经遍地开花，带动AI芯片需求爆发。而AI芯片的关键就在先进封装技术，将直接影响芯片的性能。 2、存储率先触底反弹，下游推动上游需求近期，存储厂商近期加大涨价频次及幅度，并严格控制出货。如NAND芯片报价频率从逐季报价缩短至逐日报价。据TrendForce调查显示，预计第四季度DRAM与NAND Flash合约均价将开始全面上涨。存储芯片的行业景气度受供需关系影响较大，第四季度涨幅扩大主要受到供给和需求两个方面的影响： (1) 供给方面，主流原厂纷纷开始缩减资本开支，并对存储芯片产品进行减产。整体来看，2023年美光、SK海力士计划削减资本支出在40%-50%不等。此外，美光释出逾20%涨幅等举动也为行业涨价埋下了伏笔。 (2) 需求方面，随着苹果和华为新机等陆续发布、终端去库存，智能手机开始加速渗透。特别是华为Mate 60等系列火爆进一步刺激了智能手机厂商扩大生产目标，进而推动第四季度移动存储芯片合约价上涨。此次涨价潮的核心动力来自原厂端为修复供求关系而减产的决心，目前内存整体市场价涨量缩，原厂主导价格态度强势。关于未来的价格走势，多家机构指出，在供应商议价态度转趋强硬情况下，存储器整体的涨势从四季度到明年一季度有望延续。 3、AI算力需求扩大，未来增量可期 AI应用催生算力需求大幅提升。据了解，GPT开发者大会结束后不久，由于访问量远超预期，ChatGPT和API服务经历了将近2小时的故障，OpenAI的最大竞争对手——Anthropic也同样遇到了服务器无法响应的问题，凸显算力紧缺。短期来看，关键算力供给受限下，算力供需两侧或将出现阶段性失衡，相关服务器、算力租赁概念热度有望提升。长期来看，外围限制下，国产算力芯片及全产业链布局进程有望加速，搭建高速光通信网络，通过超高速率芯片&内存互联，允许万卡集群跨GPU数据高速无损交换，仍是充分发挥算力集群性能的核心，算力基础设施国产替代空间广阔。新型的算力需求出现，自然需要先进的材料设备来推动芯片生产，因此这也是未来的一个增量曲线。在国产替代以及需求扩张的催化下，半导体材料的投资具备极高的配置价值。半导体材料ETF(562590)紧密跟踪中证半导体材料设备指数，指数中半导体设备(47.92%)、半导体材料(20.99%)占比靠前，合计权重近70%，充分聚焦指数主题。前十大成分股覆盖半导体设备及材料的各个环节，中微公司、北方华创、沪硅产业、TCL科技、雅克股份均在其中，既有刻蚀机、薄膜积淀、硅片、面板等龙头，也有近期大热的光刻胶优势标的。数据来源：Wind，截至20240111。以上内容与数据，与界面有连云频道立场无关，不构成投资建议。据此操作，风险自担。

有连云01-12 11:03

台积电取得电荷泵系统专利，可提供输出电压

金融界2024年1月11日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“存储器系统、电荷泵系统及其操作方法“，授权公告号CN112687312B，申请日期为2020年6月。专利摘要显示，一种具有电荷泵系统的系统，包括：电荷泵系统，具有多个使能信号输入端子和输出端子，所述电荷泵系统配置为在所述输出端子处提供输出电压；检测电路，连接到所述电荷泵系统的所述使能端子和所述输出端子，所述检测电路配置为将所述电荷泵系统的输出电压与多个预定输入检测电压电平进行比较，并且响应于所述比较向所述电荷泵系统的使能信号输入端子输出多个使能信号。本申请的实施例还涉及存储器系统、电荷泵系统及其操作方法。

金融界01-11 22:52

苹果2023年获得超过2500项美国专利

5项专利授权排名第一，其后分别是高通、台积电、IBM、佳能和三星显示，苹果位列第七。在“七大”科技公司(包括谷歌、亚马逊、苹果、Meta、微软、英伟达和特斯拉)中，苹果2023年新专利数量遥遥领先。在2023年全球250强专利持有者排名中，苹果公司以21407项有效专利排名第51位。松下目前在有效专利方面处于全球领先地位，总共拥有94341项专利，超过拥有92593项专利的三星电子。

金融界01-11 20:50

台积电取得包括标准单元的半导体器件专利，实施例涉及包括多个标准单元的半导体器件和标准单元布局技术

金融界2024年1月11日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“包括标准单元的半导体器件“，授权公告号CN109786369B，申请日期为2018年8月。专利摘要显示，半导体器件包括多个标准单元。多个标准单元包括布置在第一行中的沿着行方向延伸的第一组标准单元和布置在第二行中的沿着行方向延伸的第二组标准单元。第一组标准单元和第二组标准单元布置在列方向上。第一组标准单元在列方向上的单元高度与第二组标准单元在列方向上的单元高度不同。本发明实施例涉及包括多个标准单元的半导体器件和标准单元布局技术。

金融界01-11 18:51

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