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三星电子和海力士将投资4710亿美元到2047年建设16座芯片厂

622万亿韩元，建立16座芯片工厂。三星电子将在龙仁芯片厂投资360万亿韩元，在平泽的系统和芯片厂投资120万亿韩元，在器兴的内存研发工厂投资20万亿韩元。SK海力士将在龙仁投资122万亿韩元生产内存芯片。该集群将生产HBM、PIM和其他尖端芯片。总产能估计为每月770万片晶圆。到2027年将建成3座生产厂和2座研发厂。韩国总统尹锡悦承诺延长本应今年结束的芯片投资税收优惠政策，还承诺支持包括电力和供水在内的基础设施。

金融界01-16 12:49

韩国大手笔！狂砸622万亿韩元，剑指芯片领域

韩元，折合人民币约3.4万亿元。其中，三星电子计划投资500万亿韩元，SK海力士将投资122万亿韩元。同日，就今年即将到期的半导体投资减税政策，韩国总统尹锡悦表示，政府将延长相关法律的有效期，今后会继续实施投资减税政策。

金融界01-16 07:27

韩国拟建半导体产业超级集群，投资622万亿韩元创造346万个工作岗位

所谓的“半导体巨型集群”，该计划将推动三星电子和SK海力士公司的总投资达到622万亿韩元（约合4720亿美元）。根据韩国产业通商资源部和科学部的联合声明，该产业群将包括京畿道南部的多个工业园区，总面积将达到2100万平方米，到2030年将达到每月770万片晶圆的生产能力。具体来说，韩国政府计划在板桥建立无晶圆厂产业专属区，并在华城、龙仁、利川、平泽等地建立晶圆厂和存储芯片生产设施。韩国还决定在安城建设材料、零部件、设备产业园区，在基兴和水原建设研发设施。根据该计划，该地区目前拥有21家制造工厂，到2047年将新增16家工厂，其中包括3家研究设施。韩国产业通商资源部长官安德根表示：“早日完成半导体超级集群的建设，将在芯片领域获得世界领先的竞争力，并为年轻一代提供优质的就业机会。” 具体而言，三星电子计划投资500万亿韩元，其中包括：投资360万亿韩元在首尔以南33公里的龙仁新建6个晶圆厂的；投资120万亿韩元在首尔以南54公里的平泽新建3个晶圆厂；投资20万亿韩元在器兴新建3个研究设施。 SK海力士将投资122万亿韩元，在龙仁新建4个晶圆厂。韩国政府计划以民间投资为基础，以2纳米制程芯片和高带宽存储器等尖端产品为中心，打造世界级的生产能力。韩国产业通商资源部还表示，这一规模达622万亿韩元的项目将创造346万个工作岗位。韩国政府预计，到2030年，韩国在全球非存储芯片市场的占有率将从目前的3%大幅上升到10%。随着大型产业集群的建设，韩国政府承诺通过将关键材料、零部件和设备供应链的自给率从目前的30%提高到2030年的50%来支持这一生态系统。

金融界01-15 17:20

亚太股市收盘涨跌互现日经225指数续创34年新高

日跌势。权重股方面，起亚汽车涨近3%，三星电子涨逾1%。日经225指数涨0.91%，报35901.79点，连涨6日，续创34年新高。权重股方面，日立涨逾3%，续创历史新高；日本电报电话涨逾3%，刷新历史新高。澳洲标普200指数跌0.03%，报7496.30点。新西兰NZX50指数跌0.72%，报11772.90点。

金融界01-15 16:00

韩国拟建半导体产业超级集群，投资622万亿韩元，创造346万个工作岗位

厂，其中包括3家研究设施。该计划将推动三星电子和SK海力士公司的总投资达到622万亿韩元(约合4720亿美元)，预计将创造346万个工作岗位。

金融界01-15 10:21

三星电子总裁据悉密访鸿海、华邦外界推测可能扩大AI领域合作

三星电子总裁暨新任三星半导体董事长孙英权上周与鸿海董事长刘扬伟、华邦电子董事长焦佑钧等见面。三星近期积极冲刺AI用高频宽内存，并拓展AI应用，外界推测，孙英权此行，主要希望与鸿海及华邦扩大AI领域合作。

金融界01-15 09:21

三星申请存储器装置专利，提升数据写入非易失性存储器的完整性

1月12日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“存储器装置“的专利，公开号CN117389461A，申请日期为2023年5月。专利摘要显示，提供存储器装置。所述存储器装置包括：非易失性存储器；以及存储器控制器，用于将从主机接收的数据写入非易失性存储器。存储器控制器被配置为：从主机接收与所述数据相关联的第一数据完整性字段(DIF)信息，第一DIF信息包括基于所述数据生成的单独的循环冗余校验(CRC)信息；基于第一DIF信息生成具有与第一DIF信息的结构不同的结构的第二DIF信息；并且将第二DIF信息写入非易失性存储器。

金融界01-12 16:57

三星申请半导体器件专利，提高数据存储结构的连接效率

1月12日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体器件“，公开号CN117393579A，申请日期为2023年5月。专利摘要显示，一种半导体器件，包括：有源区，由器件隔离层限定；焊盘层，在器件隔离层和有源区的第一区域上；第一分离层，穿透焊盘层，并沿第一方向延伸；第二分离层，穿透焊盘层，并沿第二方向延伸；字线，在第二分离层下方，该字线沿第二方向延伸，并嵌入衬底中；位线，沿第一方向延伸，并连接到有源区的第二区域；接触结构，在位线的侧表面上，并连接到焊盘层；以及数据存储结构，在接触结构上，并连接到接触结构。第一分离层包括气隙或介电常数小于氮化硅的介电常数的材料。

金融界01-12 16:57

三星申请半导体器件及其制造方法专利，实现金属结构与半导体组件电绝缘

1月12日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体器件及其制造方法“，公开号CN117393542A，申请日期为2023年4月。专利摘要显示，一种半导体器件，包括：半导体衬底，包括器件区和边缘区；半导体组件，在器件区上；金属结构，在边缘区上；绝缘层，围绕半导体组件和金属结构；以及在半导体组件上的焊盘，其中，金属结构被绝缘层围绕，且不暴露于绝缘层的侧表面，并且其中，金属结构与半导体组件电绝缘。

金融界01-12 16:57

三星取得语音识别服务专利，实现智能辅助服务的高效调用

1月11日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“提供基于语音识别的服务的电子装置和系统“，授权公告号CN112912955B，申请日期为2019年10月。专利摘要显示，在根据实施例的系统中包括的存储器，可以被配置为存储自动语音识别(ASR)模块和自然语言理解(NLU)模块，并且存储器被配置为存储指令，该指令在被执行时，使处理器：通过麦克风接收用于调用基于语音的智能辅助服务的唤醒话语；在唤醒话语之后，通过麦克风接收第一用户话语；使用NLU模块处理第一用户话语；基于处理后的第一用户话语生成第一响应；在接收到唤醒话语之后选定的时间间隔内，通过麦克风接收第二用户话语；使用ASR模块，提取第二用户话语的文本；当第二用户话语的文本中包括选定词或选定短语时，使用NLU模块处理第二用户话语以生成第二响应；以及当第二用户话语的文本中不包括选定词或选定短语时，不生成对第二用户话语的响应。

金融界01-11 20:52

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