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三星申请半导体器件专利，提高电子系统性能
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1月30日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体器件和包括该半导体器件的电子系统“，公开号CN117479536A，申请日期为2023年7月。专利摘要显示，一种半导体器件，包括外围电路区和存储单元区。存储单元区可以包括：堆叠结构，包括在竖直方向上重复且交替地堆叠的栅电极和层间绝缘层；以及沟道结构，穿透堆叠结构。栅电极可以包括第一栅电极、第一栅电极上的第二栅电极、以及第二栅电极上的第三栅电极。每一个第一栅电极可以具有第一厚度。每一个第二栅电极的第二厚度可以大于第一厚度。每一个第三栅电极的第三厚度可以小于第二厚度。
金融界01-30 17:23
三星申请集成电路装置专利，提供了一种集成电路装置
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1月30日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“集成电路装置“，公开号CN117479533A，申请日期为2023年7月。专利摘要显示，提供了一种集成电路装置，其包括：衬底，其具有第一有源区和与第一有源区间隔开的第二有源区；以及多个单元图案，其具有柱形，其中，多个单元图案包括在第一水平方向上延伸并且包括多个第一单元组的多个第一单元图案，以及与多个第一单元组间隔开、在第一水平方向上延伸、并且包括多个第二单元组的多个第二单元图案，并且其中，多个第二单元图案的各自的侧表面具有沿着多个第一单元图案的与多个第二单元图案中的相应第二单元图案相邻的各自的侧表面向内凹陷的各自的凹部。
金融界01-30 17:22
三星申请半导体存储器件和制造其的方法专利，提高半导体存储器件的性能
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1月30日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体存储器件和制造其的方法“，公开号CN117479532A，申请日期为2023年7月。专利摘要显示，公开了半导体存储器件和制造方法。例如，一种半导体存储器件可以包括具有彼此相邻的第一有源图案和第二有源图案的衬底，沟槽将第一有源图案和第二有源图案分开。第一有源图案包括第一源极/漏极区，第二有源图案包括第二源极/漏极区。第二源极/漏极区包括与第一源极/漏极区相邻的第一侧壁表面和第二侧壁表面以及连接第一侧壁表面和第二侧壁表面的连接表面。第二侧壁表面从第一侧壁表面相对于第一源极/漏极区向后缩进。半导体存储器件还包括在第一有源图案和第二有源图案之间的沟槽中的器件隔离层，其中器件隔离层在第二源极/漏极区的第一侧壁表面上。位线在衬底上沿第一方向延伸，位线包括电连接到第一源极/漏极区的接触部分。半导体存储器件还包括在器件隔离层上、在位线的接触部分的侧壁上以及在第二源极/漏极区的第二侧壁表面上的下间隔物。此外，半导体存储器件包括：联接到第二源极/漏极区的接触，下间隔物的一部分在接触和位线的接触部分之间；在接触上的着落垫；以及在着落垫上的数据存储元件。
金融界01-30 17:22
三星申请等离子体处理设备专利，能够在大气压力状态与真空压力状态之间切换
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1月30日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“等离子体处理设备“，公开号CN117476497A，申请日期为2023年7月。专利摘要显示，公开了一种等离子体处理设备。所述等离子体处理设备包括：装载锁定腔室，能够在大气压力状态与真空压力状态之间切换；以及基底处理设备，被配置为：将基底传送到装载锁定腔室和从装载锁定腔室传送基底，并且在真空环境下在等离子体腔室中对基底的表面执行等离子体处理。基底处理设备包括：基底载台，设置在等离子体腔室内并且被配置为支撑基底；等离子气体供应器，被配置为将等离子气体供应到等离子体腔室中；蒸汽供应器，被配置为将水蒸气供应到等离子体腔室中；以及等离子体生成器，被配置为在等离子体腔室中生成等离子体。
金融界01-30 17:21
三星申请半导体装置专利，实现更优化的数据存储系统
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1月30日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统“，公开号CN117479541A，申请日期为2023年7月。专利摘要显示，公开了半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统。该半导体装置包括：基底；导电层；以及连接到导电层的接触插塞。接触插塞包括第一部分；以及顺序堆叠的第二部分，其中，第一部分的上表面的宽度比第二部分的下表面的宽度宽。接触插塞包括阻挡层；阻挡层上的第一导电层；以及第一导电层上的第二导电层。第二导电层包括孔隙。阻挡层、第一导电层和第二导电层在第一部分和第二部分中连续延伸。阻挡层具有第一厚度，第二导电层具有等于或大于第一厚度的第二厚度，并且第一导电层具有等于或大于第二厚度的第三厚度。
金融界01-30 17:21
三星申请半导体器件专利，半导体器件可以包括在衬底上的位线结构、第一间隔物和第二间隔物
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1月30日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体器件“，公开号CN117479531A，申请日期为2023年7月。专利摘要显示，半导体器件可以包括在衬底上的位线结构、第一间隔物和第二间隔物。位线结构可以包括在基本上垂直于衬底的上表面的竖直方向上堆叠的导电结构和绝缘结构。第一间隔物和第二间隔物可以在位线结构的侧壁上沿水平方向堆叠。水平方向可以基本上平行于衬底的上表面。导电结构可以在其横向部分包括含氮导电部分。第一间隔物可以接触含氮导电部分。
金融界01-30 17:21
三星申请发光结构专利，实现高效发光
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1月30日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“发光结构、显示装置和制造显示装置的方法“，公开号CN117476832A，申请日期为2023年7月。专利摘要显示，本公开涉及一种发光结构、显示装置和显示装置的制造方法。该发光结构包括：基板；第一外延结构，设置在基板上；第二外延结构，设置在第一外延结构上；以及第三外延结构，设置在第二外延结构上。第一外延结构、第二外延结构和第三外延结构中的每个以依次堆叠结构包括第一导电性的第一半导体层、载流子阻挡层、有源层和第二导电性的第二半导体层。
金融界01-30 17:21
三星申请半导体封装件专利，实现半导体芯片的高效封装
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1月30日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体封装件“，公开号CN117476591A，申请日期为2023年7月。专利摘要显示，一种半导体封装件包括：第一布线结构，其包括具有多个第一底连接焊盘和多个第一顶连接焊盘的多个第一重分布图案以及围绕多个第一重分布图案的多个第一重分布绝缘层；第二布线结构，其包括具有多个第二底连接焊盘和多个第二顶连接焊盘的多个第二重分布图案以及围绕多个第二重分布图案的多个第二重分布绝缘层；半导体芯片，其插置在第一布线结构和第二布线结构之间；密封剂，其填充第一布线结构和第二布线结构之间的空间；以及多个连接结构，其穿过密封剂并将多个第一顶连接焊盘连接到多个第二底连接焊盘并且布置在半导体芯片周围。
金融界01-30 17:12
三星申请半导体装置专利，提供了一种半导体装置
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1月30日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体装置“，公开号CN117479530A，申请日期为2023年7月。专利摘要显示，提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底；多个下电极，位于基底上并且以蜂窝结构布置；以及支撑件，将多个下电极彼此连接，其中，支撑件具有限定在其中的多个支撑件孔，其中，多个支撑件孔中的每个暴露多个下电极中的每个的至少一部分，其中，支撑件包括多个第一延伸部和多个第二延伸部，多个第一延伸部在第一方向上延伸，多个第二延伸部在第二方向上延伸以便与多个第一延伸部交叉，其中，多个第一延伸部中的每个具有第一侧壁和第二侧壁，其中，多个第二延伸部中的每个具有第三侧壁和第四侧壁，其中，第一侧壁至第四侧壁中的每个包括凸起部和凹陷部。
金融界01-30 17:11
三星申请电源管理集成电路专利，可以改变电源调节器的设定值以用于并联模式
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1月30日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“电源管理集成电路、具有其的电子设备以及其操作方法“，公开号CN117477898A，申请日期为2023年6月。专利摘要显示，一种电源管理集成电路的操作方法，其包括：以高电平输出第一调节器的第一使能信号；当第二调节器的第二使能信号具有低电平时，确定所述第二调节器的检测信号是否具有高电平；当所述检测信号具有高电平时，改变所述第一调节器和所述第二调节器的设定值以用于并联模式；将所述第一调节器和所述第二调节器设置为改变后的设定值；以及输出高电平的所述第二使能信号。
金融界01-30 17:11

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