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英伟达市值超越谷歌，成为美股第三大上市公司！华尔街分析师争相上调目标价
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代工芯片制造商台积电(TSM.US)和三星电子每年承诺投入超过300亿美元的资本支出，以保持领先于潜在竞争对手。此外，对于奥特曼来说，要想有机会削弱他们的领先优势，他需要在研究、开发、设施和专家人才方面投入大量资金，但黄仁勋认为，更好、更经济的芯片将使这一切变得不必要。尽管如此，英伟达的CEO并不认为人工智能支出的增长会很快结束。在他的讲话中，黄仁勋估计在未来五年内，全球为支持人工智能而建立的数据中心成本将增加一倍。他表示：“我们正处于这个新时代的开始。全球约有一万亿美元的数据中心已建成。在接下来的四、五年中，我们将拥有价值2万亿美元的数据中心，它们将支持全球的软件运行。”
金融界02-15 08:30
亚太主要股指午间多数下跌，日经225指数跌0.84%
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合指数跌1.12%报2619.86点，三星电子、浦项制铁跌近2%，LG化学跌近3%。
金融界02-14 11:52
高伟电子(01415)下跌5.15%，报17.32元/股
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年上升，客户包括Apple、LG电子和三星电子等领先的移动设备制造商。截至2023年中报，高伟电子营业总收入26.5亿元、净利润1.3亿元。
金融界02-14 10:32
苹果手机在韩国市场份额突破25%，三星保持领先地位
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，为1400万部左右。从制造商来看，三星电子的市场占有率为73%，保持领先地位。但由于材料价格上涨和整体销售低迷，三星电子整理掉部分中低端机型，市场占有率较前一年减少约2%。排名第二的苹果市场占有率为25%，同比上升3%。苹果在2020年至2022年以每年1%的速度在韩国市场提高占有率。
金融界02-14 06:24
机构：苹果手机在韩国市场份额突破25%，三星保持领先地位
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%，为1400万部左右。从制造商来看，三星电子的市场占有率为73%，保持领先地位。但由于材料价格上涨和整体销售低迷，三星电子整理掉部分中低端机型，市场占有率较前一年减少约2%。排名第二的苹果市场占有率为25%，同比上升3%。苹果在2020年至2022年以每年1%的速度在韩国市场提高占有率。
金融界02-13 16:44
三星将与普林斯顿大学合作开发6G技术
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三星电子公司周二表示，其研究开发机构三星美国研究院将与普林斯顿大学合作，共同开发下一代6G网络技术。三星电子表示，SRA将成为普林斯顿大学“NextG倡议企业附属计划”的创始成员，该计划旨在引领6G技术的研发。SRA将与爱立信、英特尔、联发科、诺基亚贝尔实验室、高通技术和沃达丰等其他公司一起参与该计划。
金融界02-13 09:05
美股收盘：道指涨超120点再创新高科技股多下跌Arm逆势飙涨29%
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种语言。韩国产业人士透露，高通已委由三星电子以2纳米制程开发智能手机应用处理器（AP）原型晶片，并已要求台积电生产2纳米原型晶片，高通预料将根据三星电子和台积电的结果，选择一家公司进行量产，可能今年底前决定。三星电子主管表示，无法证实与客户相关的事务。斯特兰蒂斯采用SAE J3400充电标准，从而在北美电动汽车市场向客户更多充电选项。
金融界02-13 06:25
韩媒：高通要台积电、三星开发2纳米原型晶片可能年底前决定
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述韩国产业人士报道，经证实，高通已委由三星电子以2纳米制程开发智能手机应用处理器（AP）原型晶片，并已要求台积电生产2纳米原型晶片，高通预料将根据三星电子和台积电的结果，选择一家公司进行量产，可能今年底前决定。三星电子主管表示，无法证实与客户相关的事务。
金融界02-13 03:58
三星取得CN107689359B专利，实现多个半导体芯片堆叠结构中的每一个彼此电连接
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年2月8日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“包括具有嵌入芯片的再布线层的半导体封装件“，授权公告号CN107689359B，申请日期为2017年5月。专利摘要显示，本发明提供了一种半导体封装件，其包括衬底、再布线层、多个半导体芯片堆叠结构以及第二半导体芯片。再布线层设置在衬底的上表面上。再布线层包括凹陷部。半导体芯片堆叠结构包括多个第一半导体芯片。第一半导体芯片设置在再布线层上。第一半导体芯片在水平方向上彼此隔开。第二半导体芯片设置在凹陷部中。第二半导体芯片构造为使多个半导体芯片堆叠结构中的每一个彼此电连接。
金融界02-12 11:08
三星取得半导体器件及其制造方法专利，提供了一种包括钝化间隔物的半导体器件及其制造方法
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年2月8日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“包括钝化间隔物的半导体器件及其制造方法“，授权公告号CN109698133B，申请日期为2018年10月。专利摘要显示，提供了一种包括钝化间隔物的半导体器件及其制造方法。制造半导体器件的方法包括提供衬底以及在所述衬底上形成层间绝缘层。所述方法包括在所述层间绝缘层中形成初步通孔。所述方法包括在所述初步通孔的内侧表面上形成钝化间隔物。所述方法包括使用所述钝化间隔物作为蚀刻掩模来形成通孔。所述方法包括在所述通孔中形成导电通路。所述钝化间隔物包括与包含在所述层间绝缘层中的绝缘材料不同的绝缘材料。
金融界02-12 10:59

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