高盛上调HBM预测未来三年每年翻倍，关注产业链三大投资方向lg...

高性能存储芯片一块难求的背景下，短短两个月内高盛两度上调HBM（高带宽存储芯片）市场预测。高盛分析师公布报告预计，全球HBM市场规模将在2023-2026年期间以约100%的复合年增长率增长，并在2026年达到300亿美元，较3月份的预测上调30%以上。

高盛指出，全球AI相关投资强劲，有望拉动HBM需求增长，此外，HBM技术正在快速发展，每块AI芯片中使用的HBM容量将会增加，也将对其需求形成提振。高盛重申未来几年HBM供不应求的观点，表示需求预测的上调幅度，超过了他们对HBM产能和良率估计的小幅上调。HBM作为基于3D堆栈工艺的高性能DRAM，打破内存带宽及功耗瓶颈，GPU性能提升推动HBM技术不断升级，市场需求激增。TrendForce集邦咨询表示，今年HBM3e将是市场主流，集中在今年下半年出货。分析师认为，HBM有效解决了内存瓶颈问题，为当前满足AI需求的最佳方案，HBM需求强劲也让封装、材料、设备等环节随之受益。

国金证券推荐三个投资方向：

方向一：核心关注国内与HBM上下游相关产业链厂商。我们认为23年是AI训练的元年，24年将是AI推理的元年，主要归因于海外有望持续推出包括Sora在内的AI应用产品，叠加国内国央企发力AI应用，这将有力带动AI推理的需求。芯片领域，我们认为算力和存储是两个率先受益的领域，特别是在当前国产化大趋势下，算力和存储将决定未来十年AI胜负的关键，国产HBM未来有较大的需求空间，国内与HBM相关产业链的公司有望加速发展。

方向二：HBM对DRAM先进制程造成排挤效应，有望推动主流DRAM持续涨价，重点关注存储模组。归因于三个方面：1）三大原厂继存储器合约价翻扬后，开始加大先进制程的投片，产能提升将集中在24年下半年；2）受益于AIPC、AI手机和服务器持续升级，预期今年DDR5、LPDDR5(X)渗透率增加至50%，将消耗更多DRAM先进制程产能；3）由于HBM3e出货将集中在今年下半年，期间同属存储器需求旺季，DDR5与LPDDR5(X)市场预期需求也将看增，但受到2023年亏损压力影响，原厂产能扩张计划也较谨慎。在各家优先排产HBM情况下，有望导致DRAM产能紧张，重点建议关注受益于主流存储涨价逻辑的存储模组公司以及相关的存储封测和材料公司。

方向三：存储大厂产能转向DDR5/HBM，有望加速退出利基存储市场，将为国内利基型存储芯片厂商带来发展机会。由于三大厂商加大投入HBM与主流DDR5规格内存，有望减少供应DDR3等利基型DRAM的供应，而随着终端需求复苏，利基市场有望迎来短期的产能紧缺，价格有望迎来上扬，核心建议关注国内利基存储厂商。