三星申请半导体装置专利，该专利技术能优化半导体装置的结构lg...

摘要：金融界2024年4月26日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体装置“，公开号CN117936504A，申请日期为2023年7月。专利摘要显示，公开了一种半导体装置。该半导体装置包括：有源图案，在基底上；源极/漏极图案；第一分离结构和第二分离结构，其中，相邻的源极/漏极图案置于第一分离结构与第二分离结构之间；层间绝缘层，在源极/漏极图案以及第一分离结构和第二分离结构上；贯穿过孔，在相邻的源极/漏极图案之间，穿透层间绝缘层并且朝向基底延伸，其中，贯穿过孔的顶部与层间绝缘层的顶部共面；介电层，选择性地在层间绝缘层的顶部并且打开贯穿过孔的顶部；电源过孔，通过介电层引导以连接到贯穿过孔的顶部；电源线，在电源过孔上并且通过电源过孔电连接到贯穿过孔；电源输送网络层，在基底的底部上；以及下导体，在贯穿过孔下方。