HBM霸主SK海力士产能版图再扩张，HBM市场有望快速增长lg...

AI芯片霸主英伟达的最核心HBM存储系统供应商SK海力士计划扩大人工智能基础设施的核心硬件组件——HBM存储系统等下一代动态随机存取存储(DRAM)芯片的产能。据了解，这家韩国存储芯片制造商计划投资约5.3万亿韩元(大约38.6亿美元)，在韩国忠清北道的清州建造M15X晶圆厂，作为新的DRAM存储芯片大型生产基地。此前不久SK海力士宣布计划投资约40亿美元，在美国建立大型的芯片先进封装工厂。

此前还有消息称，三星和AMD公司签署了价值4万亿韩元的HBM3E供货合同。AMD采购三星的HBM，而作为交换三星会采购AMD的AI加速卡，但具体换购数量目前尚不清楚。三星日前表示将于今年上半年量产HBM3E 12H内存，而AMD预估将会在今年下半年开始量产相关的AI加速卡。

广发证券发布研报指出，GDDR是专为图形处理应用设计的高速内存技术，搭配GPU用于图形处理、数据中心加速和AI等需要高带宽数据处理的场景。HBM是一种新型内存，得益于堆叠结构和垂直TSV互连，HBM具有更高的传输带宽、更高的存储密度、更低的功耗以及更小的尺寸，高带宽优势对大模型训练和推理的效率提升至关重要。近年来，大部分高端数据中心GPU和ASIC均使用HBM作为内存方案，GDDR在推理等场景中具备性价比优势。未来，HBM技术持续向更高带宽、更大容量发展，12Hi-16Hi HBM4有望2026年进入量产。

中信证券研报认为，在AI大模型时代云端、终端算力双重爆发的带动下，存储行业将从涨价修复周期转向技术成长共振的新周期。云端角度，HBM高带宽特性能够满足AI算力芯片高速传输需求，与AI算力规模快速扩容相辅相成，带动TSV、2.5D封装(CoWoS)需求；此外企业级内存条和SSD需求亦同步攀升。终端角度，端侧大模型落地带动SoC算力提升，内存作为算力的核心配套，对其规格、容量均提出更高的要求。对于新型存储HBM，公司建议关注布局先进封装的封测厂商、半导体设备厂商；对于传统存储DRAM/NAND Flash，公司建议关注受益DDR5渗透的内存配套芯片厂商，以及布局企业级内存模组的头部模组厂商。