星海电子申请高反压二极管制备工艺专利，提高器件性能的一致性lg...

摘要：金融界2024年4月6日消息，据国家知识产权局公告，常州星海电子股份有限公司申请一项名为“一种高反压二极管制备工艺“，公开号CN117832082A，申请日期为2024年1月。专利摘要显示，本发明涉及二极管制备技术领域，尤其涉及一种高反压二极管制备工艺，包括以下步骤：S1、选择合适的半导体材料；S2、对晶片进行清洗和去污；S3、通过光刻将有源区区域氧化膜暴露出来，其它区域用光阻剂保护；S4、对氧化层进行湿法腐蚀，形成接触孔；S5、通过腐蚀溶液将引线孔处的氧化膜去除；S6、对晶片表面进行蒸镀Ni层，形成金属电极；S7、对Ni层进行腐蚀，并腐蚀后进行清洗，清洗后进行烘干；S8、利用高精度的电子设备，将金属电极连接到晶片上；S9、将加工好的晶片进行封装。本发明通过减少单次腐蚀时间，并提高腐蚀次数来对晶片进行腐蚀，以提高对晶片腐蚀的均匀度，提高器件性能的一致性。