长鑫存储取得晶体管结构、存储单元阵列及其制备方法专利，降低了寄生电容，还可以减小晶体管的电阻lg...

摘要：金融界2024年4月1日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“晶体管结构、存储单元阵列及其制备方法“，授权公告号CN108063140B，申请日期为2017年11月。专利摘要显示，本发明提供一种晶体管结构、存储单元阵列及制备方法，晶体管制备包括：提供具有有源区的半导体衬底，于有源区内形成沟槽结构；于沟槽结构底部及侧壁形成介质层；于介质层底部及局部侧壁形成字线表面层，及包括结合于字线表面层表面的填充部及填充部顶上的凸起部的字线实体层，字线表面层顶端低于半导体衬底上表面，凸起部顶端高于字线表面层顶端且低于半导体衬底上表面，凸起部的外侧壁与介质层之间形成侧沟；填孔绝缘层，覆盖字线实体层的顶端及侧沟的顶端，将侧沟封闭形成空气腔。通过上述方案，本发明通过沉积及湿法刻蚀工艺制备晶体管结构，形成具有绝缘侧沟的晶体管，改变了电容的中间介质层，从而降低了寄生电容，还可以减小晶体管的电阻。