三星取得半导体装置专利，半导体装置的上表面与基底之间的最长竖直距离可以小于第二绝缘膜的上表面与基底之间的最长竖直距离lg...

摘要：金融界2024年4月1日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“半导体装置“，授权公告号CN109904140B，申请日期为2018年10月。专利摘要显示，提供了半导体装置。半导体装置可以包括基底、位于基底上的第一绝缘膜、位于第一绝缘膜中的下金属层和位于第一绝缘膜上的第二绝缘膜。下金属层的一部分可以位于第二绝缘膜中，第二绝缘膜可以包括面对基底的下表面和与下表面相对的上表面，并且第二绝缘膜的上表面可以是向上凸出的。半导体装置还可以包括位于第二绝缘膜上的限定凹部的一部分的阻挡介电膜和位于凹部的由阻挡介电膜限定的所述一部分中并与下金属层电连接的过孔金属层。第一绝缘膜和第二绝缘膜可以在竖直方向上顺序地堆叠在基底上，并且下金属层的上表面与基底之间的最长竖直距离可以小于第二绝缘膜的上表面与基底之间的最长竖直距离。