长鑫存储取得CN111025845B专利，提高最终制得的器件的可靠性lg...

摘要：金融界2024年4月1日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“掩膜板和电容器阵列、半导体器件及其制备方法“，授权公告号CN111025845B，申请日期为2018年10月。专利摘要显示，本发明提供了一种掩膜板和电容器阵列、半导体器件及其制备方法，能够通过一次曝光工艺制作出电容孔阵列以及围绕在电容孔阵列周围且具有波浪形侧壁的环形沟槽，所述环形沟槽的操作窗口较大，能够避免刻蚀不到位的情况，从而能够防止电容器阵列边界形成多余且较小的电容开口，进而提高最终制得的器件的可靠性。