台积电取得存储器单元、存储器阵列、SRAM器件及其方法专利，提高数据输入和输出的控制效率lg...

摘要：金融界2024年3月28日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“存储器单元、存储器阵列、SRAM器件及其方法“，授权公告号CN112837730B，申请日期为2020年11月。专利摘要显示，SRAM包括多个存储器单元，每个存储器单元包括数据存储单元；数据I/O控件，用于将数据输入到数据线(BL)以及从数据线(BL)输出数据；以及多个存取控件，分别连接到至少两个存取控制线(WL)并且用于启用和禁用来自至少两个WL(WX和WY)的数据输入和输出。存取控件配置为仅当两个WL处于其相应的状态时允许数据输入。一种写入SRAM单元组的方法包括：经由第一WL向单元发送第一写入启用信号，向相应的单元发送相应的第二写入启用信号的组，以及对于每个单元，如果第一写入启用信号和相应的第二写入启用信号中的任何一个处于禁用状态，则防止将数据写入单元。本发明的实施例还涉及存储器单元、存储器阵列、SRAM器件及其方法。