长鑫存储申请半导体结构的制造方法和半导体结构专利，专利技术能提高半导体结构的性能lg...

摘要：金融界2024年3月29日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构的制造方法和半导体结构“，公开号CN117794236A，申请日期为2022年9月。专利摘要显示，本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构的制造方法和半导体结构，半导体结构的制造方法包括：提供衬底，在衬底内形成第一沟槽和第二沟槽，且二者的深度方向均为第一方向；第一沟槽包括多个在第一方向排布的第一子沟槽，第二沟槽包括多个在第一方向排布的第二子沟槽，且第一子沟槽和第二子沟槽的侧壁均呈外凸形；在相邻第一子沟槽的交界处形成背向第一沟槽凸出的字线；在第一子沟槽的侧壁形成第一源漏层；在相邻第二子沟槽的交界处形成背向第二沟槽凸出的第二源漏层；第二源漏层和字线均位于第一沟槽与第二沟槽之间，且第二源漏层与字线相对设置。本公开实施例至少可以提高半导体结构的性能。