长鑫存储申请半导体结构及其形成方法、存储器专利，专利技术能减小寄生电容，降低GIDLlg...

摘要：金融界2024年3月29日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法、存储器“，公开号CN117794237A，申请日期为2022年9月。专利摘要显示，本公开是关于半导体技术领域，涉及一种半导体结构及其形成方法、存储器，本公开的半导体结构包括衬底、第一介质层、导电层及半导体层，其中：衬底包括有源区，有源区内具有字线沟槽；第一介质层随形贴附于字线沟槽内；导电层位于第一介质层表面，且填充部分字线沟槽，导电层远离字线沟槽底部的一端与第一介质层之间具有预设间隙；半导体层位于所述预设间隙及所述导电层的顶部。本公开的半导体结构可减小寄生电容，降低GIDL。