北京大学申请高稳定性GaN器件专利，实现高动态稳定性、低动态导通电阻的GaN器件lg...

摘要：金融界2024年3月29日消息，据国家知识产权局公告，北京大学申请一项名为“一种高稳定性的GaN器件以及GaN桥式集成电路“，公开号CN117790534A，申请日期为2022年11月。专利摘要显示，本发明公开了一种高稳定性的GaN器件以及GaN桥式集成电路。所述GaN器件是在传统的HEMT增强型器件结构基础上，在沟道层和缓冲层之间插入了一个背部阻挡层。当栅极和源极加正偏压时，会在背部阻挡层上表面形成一层空穴扩展层，该空穴扩展层可以屏蔽缓冲层中的负电中心，还可以屏蔽衬底电压对二维电子气的调制作用，从而能有效地抑制电流崩塌效应和衬底效应，从而实现高动态稳定性、低动态导通电阻的GaN器件。基于该GaN器件的桥式集成电路可以有效地降低器件互连时的寄生效应，提高GaN电路的工作频率和工作效率，且集成平台中的衬底效应可以被导电的空穴扩展层抑制。