台积电取得制造半导体器件的方法专利，扩大用于形成源极/漏极接触件的工艺窗口lg...

摘要：金融界2024年3月25日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“制造半导体器件的方法“，授权公告号CN113451215B，申请日期为2021年6月。专利摘要显示，本公开涉及制造半导体器件的方法。本公开提供了一种扩大用于形成源极/漏极接触件的工艺窗口的方法。该方法可以包括：接收包括源极/漏极特征的工件，该源极/漏极特征在被限定在两个栅极结构之间的源极/漏极开口中暴露；在源极/漏极开口的侧壁和源极/漏极特征的顶表面之上共形地沉积电介质层；各向异性地蚀刻电介质层，以暴露源极/漏极特征；对电介质层进行注入工艺；以及在执行注入工艺之后，对工件执行预清洁工艺。注入工艺包括非零倾斜角度。