金融界2024年3月23日消息,据国家知识产权局公告,芯天下技术股份有限公司申请一项名为“Flash良率改良方法、编程方法及相关设备“,公开号CN117743204A,申请日期为2023年12月。
专利摘要显示,本发明涉及存储芯片技术领域,具体公开了一种Flash良率改良方法、编程方法及相关设备,其中,Flash良率改良方法包括步骤:在晶圆测试阶段的测试模式下,对芯片进行全片编程,以获取异常页;基于异常页建立坏页表,以使NAND Flash在执行编程操作时跳过坏页表内的异常页进行编程;在晶圆测试阶段的测试模式下,基于擦除操作对芯片进行冗余替换处理;该Flash良率改良方法基于冗余替换处理替换掉擦除错误单元,基于编程错误单元建立坏页表以使NAND Flash在实际使用过程中能跳过对坏页表中异常页执行的页编程操作,使得冗余单元能针对更多擦除错误单元进行冗余替换处理,以改善Flash的良率。