鸿远电子申请MLCC切割对位精度专利，能够避免堆叠时切割识别结构出现歪斜，提高切割对位精度lg...

摘要：金融界2024年3月23日消息，据国家知识产权局公告，北京元六鸿远电子科技股份有限公司申请一项名为“一种提高MLCC切割对位精度的识别结构“，公开号CN117747317A，申请日期为2023年12月。专利摘要显示，本发明公开了一种提高MLCC切割对位精度的识别结构，属于电容器技术领域，解决了现有单位面积内，识别结构的图形面积比内电极结构图形面积小，识别结构受到的压力更大、更集中，常出现歪斜现象，若按照歪斜的识别结构切割，切后的生坯芯片会出现内电极偏移的问题，其技术要点是：包括切割识别结构，所述切割识别结构的一侧设置有内电极结构，还包括：陶瓷膜片，所述切割识别结构以及所述内电极结构设置在所述陶瓷膜片一侧，所述陶瓷膜片用于承载切割识别结构以及所述内电极结构，具有增加印刷面积，并采用交错形式，能够避免堆叠时切割识别结构出现歪斜，提高切割对位精度的优点。