新洁能取得晶圆级功率半导体器件及其制作方法专利，减少工艺制造光刻层数lg...

摘要：金融界2024年3月12日消息，据国家知识产权局公告，无锡新洁能股份有限公司取得一项名为“一种晶圆级功率半导体器件及其制作方法“，授权公告号CN107591452B，申请日期为2017年10月。专利摘要显示，本发明公开了一种晶圆级功率半导体器件，包括有源区其中，有源区包括：第一导电类型衬底和第一导电类型衬底外延层，在第一导电类型衬底外延层上形成沟槽，沟槽内填充导电多晶硅，第二导电类型体区上形成第一导电类型源极，第一导电类型源极和第一导电类型衬底外延层的上表面形成绝缘介质层，绝缘介质层上形成源极引线孔、漏极引线孔和栅极引线孔，第一导电类型源极通过源极引线孔与源漏栅金属层连接，第一导电类型衬底外延层通过漏极引线孔与源漏栅金属层连接，且源极引线孔、漏极引线孔和栅极引线孔均为同一工艺步骤形成。本发明还公开了一种晶圆级功率半导体器件的制作方法。本发明提供的晶圆级功率半导体器件，减少工艺制造光刻层数。