台积电取得制造半导体器件的方法和半导体器件专利，通过使用溶液的湿蚀刻操作去除金属层lg...

摘要：金融界2024年2月23日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“制造半导体器件的方法和半导体器件“，授权公告号CN111129147B，申请日期为2019年10月。专利摘要显示，在制造半导体器件的方法中，在沟道区域上方形成栅极介电层，在栅极介电层上方形成第一导电层，在第一导电层的表面区域处形成保护层，通过在保护层上施加含金属的气体来形成金属层，并且通过使用溶液的湿蚀刻操作去除金属层。保护层抵抗湿蚀刻操作的溶液。本发明的实施例还涉及半导体器件。