全球数字财富领导者

三星取得制造集成电路器件的方法专利,提供了一种制造集成电路器件的方法

2024-02-24 02:57:09
金融界
金融界
关注
0
0
获赞
粉丝
喜欢 0 0收藏举报
— 分享 —
摘要:金融界2024年2月23日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社取得一项名为“制造集成电路器件的方法“,授权公告号CN109559980B,申请日期为2018年9月。专利摘要显示,提供了一种制造集成电路器件的方法,所述方法包括:在基板上形成包括化学增强聚合物的可显影底部抗反射涂覆层;在所述可显影底部抗反射涂覆层上形成包括非化学增强树脂和光酸产生剂的光致抗蚀剂层;通过曝光所述第一区域,在选自所述光致抗蚀剂层的第一区域中从所述光酸产生剂产生酸;将所述曝光的第一区域中的酸扩散到所述可显影底部抗反射涂覆层的第一可显影底部抗反射涂覆区域中,所述第一可显影底部抗反射涂覆区域面向所述第一区域;以及通过将所述光致抗蚀剂层和所述可显影底部抗反射涂覆层显影来去除所述第一区域和所述第一可显影底部抗反射涂覆区域。

金融界2024年2月23日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社取得一项名为“制造集成电路器件的方法“,授权公告号CN109559980B,申请日期为2018年9月。

专利摘要显示,提供了一种制造集成电路器件的方法,所述方法包括:在基板上形成包括化学增强聚合物的可显影底部抗反射涂覆层;在所述可显影底部抗反射涂覆层上形成包括非化学增强树脂和光酸产生剂的光致抗蚀剂层;通过曝光所述第一区域,在选自所述光致抗蚀剂层的第一区域中从所述光酸产生剂产生酸;将所述曝光的第一区域中的酸扩散到所述可显影底部抗反射涂覆层的第一可显影底部抗反射涂覆区域中,所述第一可显影底部抗反射涂覆区域面向所述第一区域;以及通过将所述光致抗蚀剂层和所述可显影底部抗反射涂覆层显影来去除所述第一区域和所述第一可显影底部抗反射涂覆区域。

敬告读者:本文为转载发布,不代表本网站赞同其观点和对其真实性负责。FX168财经仅提供信息发布平台,文章或有细微删改。
go