晶合集成申请半导体结构及其制备方法专利，该专利技术能提升器件性能及可靠性lg...

摘要：金融界2024年2月21日消息，据国家知识产权局公告，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法“，公开号CN117577537A，申请日期为2024年1月。专利摘要显示，本申请涉及一种半导体结构及其制备方法。该方法包括：于衬底表面形成间隔分布的多个伪栅结构；伪栅结构包括：待置换栅电极、补偿层和隔离层，待置换栅电极和补偿层沿远离衬底的方向层叠，隔离层覆盖待置换栅电极侧壁及补偿层的侧壁和顶面；形成层间介质层，层间介质层覆盖隔离层并填充相邻伪栅结构之间间隔；研磨层间介质层及隔离层直至暴露出补偿层的顶面；研磨补偿层，暴露出待置换栅电极的顶面，并使得相邻伪栅结构之间间隔内层间介质层研磨后的表面与待置换栅电极的顶面平齐；将待置换栅电极替换为金属电极，以形成栅极结构。本申请利于提升器件性能及可靠性。