台积电申请铁电结构、集成电路与其形成方法专利，存储器结构包括插入于两个铁电层之间的抑制层以形成正方晶相主导的铁电结构lg...

摘要：金融界2024年2月20日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“铁电结构、集成电路与其形成方法“，公开号CN117580364A，申请日期为2023年10月。专利摘要显示，本公开提供铁电结构、集成电路与其形成方法，其中存储器结构包括插入于两个铁电层之间的抑制层以形成正方晶相主导的铁电结构。在一些实施例中，铁电结构包含：第一铁电层；第二铁电层，上覆于第一铁电层；以及第一抑制层，设置于第一铁电层与第二铁电层之间且毗邻第二铁电层。第一抑制层为与第一铁电层及第二铁电层不同的材料。