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台积电申请三维集成电路器件及其制造方法专利,实现生成伪焊盘图案的方法

2024-02-20 08:58:35
金融界
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摘要:金融界2024年2月20日消息,据国家知识产权局公告,台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“三维集成电路器件及其制造方法“,公开号CN117577631A,申请日期为2023年9月。专利摘要显示,本公开提供了生成伪焊盘图案的方法。根据本公开的实施例的制造三维集成电路器件的方法包括:接收包括设置在划线区域中的器件区域的设计布局,识别划线区域的围绕器件区域的中心部分和围绕中心部分的边缘部分,将边缘部分划分成多个矩形分区;将伪图案叠加在多个矩形分区的每个矩形分区上,以获得边缘伪图案,将伪图案叠加在中心部分上,以获得中心伪图案,从中心伪图案雕刻掉对应于器件区域的伪图案的部分,以获得净中心伪图案,基于边缘伪图案和净中心伪图案生成划线伪图案,以及制造包括划线伪图案的第一光掩模。本发明的实施例还提供了三维集成电路器件。

金融界2024年2月20日消息,据国家知识产权局公告,台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“三维集成电路器件及其制造方法“,公开号CN117577631A,申请日期为2023年9月。

专利摘要显示,本公开提供了生成伪焊盘图案的方法。根据本公开的实施例的制造三维集成电路器件的方法包括:接收包括设置在划线区域中的器件区域的设计布局,识别划线区域的围绕器件区域的中心部分和围绕中心部分的边缘部分,将边缘部分划分成多个矩形分区;将伪图案叠加在多个矩形分区的每个矩形分区上,以获得边缘伪图案,将伪图案叠加在中心部分上,以获得中心伪图案,从中心伪图案雕刻掉对应于器件区域的伪图案的部分,以获得净中心伪图案,基于边缘伪图案和净中心伪图案生成划线伪图案,以及制造包括划线伪图案的第一光掩模。本发明的实施例还提供了三维集成电路器件。

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