台积电申请用于隔离晶体管的隔离区域及形成该隔离区域的方法专利，该专利技术能实现有效隔离晶体管lg...

摘要：金融界2024年2月20日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“用于隔离晶体管的隔离区域及形成该隔离区域的方法“，公开号CN117577585A，申请日期为2023年8月。专利摘要显示，本公开涉及用于隔离晶体管的隔离区域及形成该隔离区域的方法。一种方法包括蚀刻晶圆中的栅极堆叠以形成沟槽，沉积延伸至沟槽中的氮化硅衬垫，以及沉积氧化硅层。沉积氧化硅层的工艺包括使用包括氮和氢的工艺气体对晶圆执行处理工艺，以及使用硅前体对晶圆执行浸泡工艺。