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比亚迪半导体申请光电转换组件专利,降低光电转换组件输出像素数据的失真情况

2024-02-19 12:19:56
金融界
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摘要:金融界2024年2月19日消息,据国家知识产权局公告,比亚迪半导体股份有限公司申请一项名为“一种光电转换组件及其制备方法、像素结构和电子设备“,公开号CN117558800A,申请日期为2022年8月。专利摘要显示,本发明实施例提供了一种光电转换组件及其制备方法、像素结构和电子设备,所述光电转换组件包括衬底、位于所述衬底顶部的第一注入区、光电子收集区和传输栅、覆盖于所述光电子收集区表面的针扎层、注入在所述针扎层表面的第一暗电流吸收层;所述传输栅底面与所述光电子收集区、所述第一注入区相连接;所述第一暗电流吸收层从所述第一注入区向所述传输栅延伸,并与所述传输栅相隔预设距离。本发明实施例能够使得暗电流无法经过针扎层传递至位于针扎层下的光电子收集区,从而减少暗电流对光电转换组件的影响,降低光电转换组件输出像素数据的失真情况。

金融界2024年2月19日消息,据国家知识产权局公告,比亚迪半导体股份有限公司申请一项名为“一种光电转换组件及其制备方法、像素结构和电子设备“,公开号CN117558800A,申请日期为2022年8月。

专利摘要显示,本发明实施例提供了一种光电转换组件及其制备方法、像素结构和电子设备,所述光电转换组件包括衬底、位于所述衬底顶部的第一注入区、光电子收集区和传输栅、覆盖于所述光电子收集区表面的针扎层、注入在所述针扎层表面的第一暗电流吸收层;所述传输栅底面与所述光电子收集区、所述第一注入区相连接;所述第一暗电流吸收层从所述第一注入区向所述传输栅延伸,并与所述传输栅相隔预设距离。本发明实施例能够使得暗电流无法经过针扎层传递至位于针扎层下的光电子收集区,从而减少暗电流对光电转换组件的影响,降低光电转换组件输出像素数据的失真情况。

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