长鑫存储申请半导体结构及其制备方法专利，提高半导体产品良率lg...

摘要：金融界2024年2月6日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法“，公开号CN117525031A，申请日期为2022年7月。专利摘要显示，本公开涉及一种半导体结构及其制备方法，所述半导体结构包括：衬底，具有相对的第一表面及第二表面；金属垫，位于所述第二表面背离所述衬底的一侧；硅通孔结构，经由所述第一表面沿厚度方向贯穿所述衬底并与所述金属垫接触连接；所述金属垫在所述第二表面的正投影覆盖所述硅通孔结构的底面；隔绝环结构，形成于所述衬底内，且环绕所述硅通孔结构，其中，所述隔绝环结构的内侧壁与外侧壁具有预设距离。上述半导体结构通过隔绝环结构的设置阻止了刻蚀硅通孔结构的过程中，金属垫溅射出的金属材料扩散进衬底内部，从而提高了硅通孔结构的隔绝性能，并降低了相邻硅通孔结构之间互相连通的风险，以提高半导体产品良率。