清华大学取得CN109297622B专利，应力传感器的抗弯折能力强、具有较大的量程、灵敏度高、体积小、易加工、长期稳定性好lg...

摘要：金融界2024年2月3日消息，据国家知识产权局公告，清华大学取得一项名为“一种基于二硒化钨的微型压阻式应力传感器“，授权公告号CN109297622B，申请日期为2018年11月。专利摘要显示，一种基于二硒化钨的微型压阻式应力传感器，结构从上到下依次为氮化硼层、金属电极、二硒化钨层和柔性基底；二硒化钨层两端与金属电极相连；二硒化钨层的上表面被氮化硼层完全覆盖；所述二硒化钨层为二维材料，即厚度方向仅有单层原子或少数几层原子，少数几层为1?10层；本发明采用二硒化钨作为核心敏感材料，利用二硒化钨对应力敏感的特性(压阻特性)进行应力检测，氮化硼作为保护层，使应力传感器的抗弯折能力强、具有较大的量程、灵敏度高、体积小、易加工、长期稳定性好等特点。