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三星申请半导体装置专利,实现更优化的数据存储系统

2024-01-30 17:21:51
金融界
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摘要:金融界2024年1月30日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统“,公开号CN117479541A,申请日期为2023年7月。专利摘要显示,公开了半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统。该半导体装置包括:基底;导电层;以及连接到导电层的接触插塞。接触插塞包括第一部分;以及顺序堆叠的第二部分,其中,第一部分的上表面的宽度比第二部分的下表面的宽度宽。接触插塞包括阻挡层;阻挡层上的第一导电层;以及第一导电层上的第二导电层。第二导电层包括孔隙。阻挡层、第一导电层和第二导电层在第一部分和第二部分中连续延伸。阻挡层具有第一厚度,第二导电层具有等于或大于第一厚度的第二厚度, 并且第一导电层具有等于或大于第二厚度的第三厚度。

金融界2024年1月30日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统“,公开号CN117479541A,申请日期为2023年7月。

专利摘要显示,公开了半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统。该半导体装置包括:基底;导电层;以及连接到导电层的接触插塞。接触插塞包括第一部分;以及顺序堆叠的第二部分,其中,第一部分的上表面的宽度比第二部分的下表面的宽度宽。接触插塞包括阻挡层;阻挡层上的第一导电层;以及第一导电层上的第二导电层。第二导电层包括孔隙。阻挡层、第一导电层和第二导电层在第一部分和第二部分中连续延伸。阻挡层具有第一厚度,第二导电层具有等于或大于第一厚度的第二厚度, 并且第一导电层具有等于或大于第二厚度的第三厚度。

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