长鑫存储申请半导体结构及其形成方法、存储器专利，实现高效的半导体结构lg...

摘要：金融界2024年1月16日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法、存储器“，公开号CN117412664A，申请日期为2022年7月。专利摘要显示，本公开实施例公开了一种半导体结构及其形成方法、存储器。所述半导体结构包括：衬底；相变存储单元，位于所述衬底上；所述相变存储单元包括：相变材料层和加热层，所述加热层位于所述相变材料层和所述衬底之间；所述加热层包括由第一导电材料构成的第一部分和由第二导电材料构成的第二部分，所述第一部分至少包围所述第二部分的侧壁。