台积电取得半导体装置及记忆体装置专利，能实现包含铁电膜的记忆体结构lg...

摘要：金融界2024年1月15日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体装置及记忆体装置”，授权公告号CN220342744U，申请日期为2023年5月。专利摘要显示，一种半导体装置及记忆体装置，半导体装置包括记忆体结构，该记忆体结构包含多个第一记忆体单元。该半导体装置包括设置在该记忆体结构旁边且包含第一监控器图案的测试结构。沿第一横向方向排列的所述多个第一记忆体单元分别具有沿垂直方向延伸的多个第一通道膜，且连接至沿垂直方向及第一横向方向延伸共用的第一铁电膜。该第一监控器图案包括：沿垂直方向及第一横向方向延伸的第二通道膜；及沿垂直方向及第一横向方向延伸的第二铁电膜。