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三星申请半导体器件专利,提高数据存储结构的连接效率

2024-01-12 16:57:24
金融界
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摘要:金融界2024年1月12日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“半导体器件“,公开号CN117393579A,申请日期为2023年5月。专利摘要显示,一种半导体器件,包括:有源区,由器件隔离层限定;焊盘层,在器件隔离层和有源区的第一区域上;第一分离层,穿透焊盘层,并沿第一方向延伸;第二分离层,穿透焊盘层,并沿第二方向延伸;字线,在第二分离层下方,该字线沿第二方向延伸,并嵌入衬底中;位线,沿第一方向延伸,并连接到有源区的第二区域;接触结构,在位线的侧表面上,并连接到焊盘层;以及数据存储结构,在接触结构上,并连接到接触结构。第一分离层包括气隙或介电常数小于氮化硅的介电常数的材料。

金融界2024年1月12日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“半导体器件“,公开号CN117393579A,申请日期为2023年5月。

专利摘要显示,一种半导体器件,包括:有源区,由器件隔离层限定;焊盘层,在器件隔离层和有源区的第一区域上;第一分离层,穿透焊盘层,并沿第一方向延伸;第二分离层,穿透焊盘层,并沿第二方向延伸;字线,在第二分离层下方,该字线沿第二方向延伸,并嵌入衬底中;位线,沿第一方向延伸,并连接到有源区的第二区域;接触结构,在位线的侧表面上,并连接到焊盘层;以及数据存储结构,在接触结构上,并连接到接触结构。第一分离层包括气隙或介电常数小于氮化硅的介电常数的材料。

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