长鑫存储申请半导体结构的制作方法及半导体结构专利，防止支撑层出现裂纹，提高半导体结构的性能lg...

摘要：金融界2024年1月12日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构的制作方法及半导体结构“，公开号CN117395985A，申请日期为2022年6月。专利摘要显示，本申请提供一种半导体结构的制作方法及半导体结构，用以解决相关技术中支撑层容易出现裂纹，导致电容坍塌的问题。其制作方法包括：在衬底上形成牺牲层和支撑层，支撑层包括层叠设置的第一支撑层和第二支撑层，牺牲层包括第一牺牲层和第二牺牲层；形成贯穿于第二支撑层的填充孔；在填充孔内填充牺牲材料，以形成牺牲部。对比于相关技术中以部分支撑层为掩膜去除位于牺牲层中部的部分支撑层，本申请实施例同步去除部分第一支撑层以及部分第二支撑层，以形成贯穿于第二支撑层的填充孔，利用填充孔去除牺牲层，无需对第一支撑层进行蚀刻处理，避免了剩余第一支撑层损失减薄，从而防止第一支撑层出现裂纹，有利于提高半导体结构的性能。