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三星申请使用基底间布线结构的高度集成的图像传感器专利,提高图像传感器的集成度

2024-01-05 17:18:52
金融界
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摘要:金融界2024年1月5日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“使用基底间布线结构的高度集成的图像传感器“,公开号CN117352524A,申请日期为2023年6月。专利摘要显示,一种图像传感器包括:第一基底,其中集成有一晶体管;以及第一多个布线结构,在第一基底上。第一多个布线结构包括电连接到第一晶体管的第一布线结构。第二基底在第一多个布线结构上延伸并具有集成在其中的第二晶体管,第二晶体管电连接到第一多个布线结构内的第二布线结构。第二多个布线结构在第二基底上延伸。第三基底设置在第二多个布线结构上。微透镜在第三基底的光接收表面上延伸。光感测元件在第三基底内延伸。传输栅极(TG)延伸到第三基底的一部分中,与光感测元件相邻地延伸并电连接到第二多个布线结构内的第一布线结构。浮置扩散(FD)区域在第三基底内延伸并与TG相邻。FD区域电连接到第二多个布线结构内的第二布线结构。

金融界2024年1月5日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“使用基底间布线结构的高度集成的图像传感器“,公开号CN117352524A,申请日期为2023年6月。

专利摘要显示,一种图像传感器包括:第一基底,其中集成有一晶体管;以及第一多个布线结构,在第一基底上。第一多个布线结构包括电连接到第一晶体管的第一布线结构。第二基底在第一多个布线结构上延伸并具有集成在其中的第二晶体管,第二晶体管电连接到第一多个布线结构内的第二布线结构。第二多个布线结构在第二基底上延伸。第三基底设置在第二多个布线结构上。微透镜在第三基底的光接收表面上延伸。光感测元件在第三基底内延伸。传输栅极(TG)延伸到第三基底的一部分中,与光感测元件相邻地延伸并电连接到第二多个布线结构内的第一布线结构。浮置扩散(FD)区域在第三基底内延伸并与TG相邻。FD区域电连接到第二多个布线结构内的第二布线结构。

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