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三星申请半导体器件专利,提高器件性能

2024-01-05 17:18:24
金融界
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摘要:金融界2024年1月5日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“半导体器件“,公开号CN117355131A,申请日期为2023年5月。专利摘要显示,一种半导体器件包括:衬底;与所述衬底垂直地间隔开的第一支撑体图案和第二支撑体图案,所述第二支撑体图案与所述第一支撑体图案垂直地间隔开;下电极孔,在所述衬底上垂直地延伸;下电极,位于所述下电极孔内部,接触所述第一支撑体图案和所述第二支撑体图案的侧壁,所述下电极包括第一层、第二层和第三层,所述第一层沿着所述下电极孔的侧壁的一部分和底表面设置,所述第二层位于所述第一层之间,所述第三层位于所述第一层的上表面和所述第二层的上表面上,所述第一层和所述第三层包括与所述第二层不同的材料,并且所述第三层的至少一部分的侧壁朝向所述第三层凹入,在所述垂直方向上与所述第二层交叠,并且在所述垂直方向上与所述第二层间隔开。

金融界2024年1月5日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“半导体器件“,公开号CN117355131A,申请日期为2023年5月。

专利摘要显示,一种半导体器件包括:衬底;与所述衬底垂直地间隔开的第一支撑体图案和第二支撑体图案,所述第二支撑体图案与所述第一支撑体图案垂直地间隔开;下电极孔,在所述衬底上垂直地延伸;下电极,位于所述下电极孔内部,接触所述第一支撑体图案和所述第二支撑体图案的侧壁,所述下电极包括第一层、第二层和第三层,所述第一层沿着所述下电极孔的侧壁的一部分和底表面设置,所述第二层位于所述第一层之间,所述第三层位于所述第一层的上表面和所述第二层的上表面上,所述第一层和所述第三层包括与所述第二层不同的材料,并且所述第三层的至少一部分的侧壁朝向所述第三层凹入,在所述垂直方向上与所述第二层交叠,并且在所述垂直方向上与所述第二层间隔开。

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