金融界2024年1月5日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“非易失性存储器装置和包括其的系统“,公开号CN117355141A,申请日期为2023年6月。
专利摘要显示,提供一种非易失性存储器装置和一种非易失性存储器系统。非易失性存储器装置包括:衬底;绝缘层,其位于衬底上;位线隔离层,其位于绝缘层上;共源极线导电层,其位于位线隔离层上;铁电存储器单元,其位于位线隔离层上;位线,其连接至铁电存储器单元的顶部;以及共源极线,其连接至共源极线导电层并且电连接至铁电存储器单元,其中,铁电存储器单元包括铁电层、沟道层、连接至铁电层和沟道层并且在竖直方向上延伸的第一导电填充件、以及连接至铁电层和沟道层并且在竖直方向上延伸的第二导电填充件,第一导电填充件连接至位线,并且第二导电填充件连接至共源极线。