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三星取得半导体存储器件及其制造方法专利,该半导体存储器件包括:第一半导体图案,在衬底上并包括彼此背对的第一端和第二端

2023-12-28 15:39:24
金融界
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摘要:金融界2023年12月28日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社取得一项名为“半导体存储器件及其制造方法“,授权公告号CN111863825B,申请日期为2020年3月。专利摘要显示,公开了半导体存储器件及其制造方法。该半导体存储器件包括:第一半导体图案,在衬底上并包括彼此背对的第一端和第二端;第一导电线,在该第一端和该第二端之间、与该第一半导体图案的侧表面相邻并垂直于衬底的顶表面;第二导电线,与第一半导体图案的第一端接触,与第一导电线间隔开,并平行于衬底的顶表面;以及数据存储图案,与第一半导体图案的第二端接触。第一导电线具有与第一半导体图案的侧表面相邻地突出的突起。

金融界2023年12月28日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社取得一项名为“半导体存储器件及其制造方法“,授权公告号CN111863825B,申请日期为2020年3月。

专利摘要显示,公开了半导体存储器件及其制造方法。该半导体存储器件包括:第一半导体图案,在衬底上并包括彼此背对的第一端和第二端;第一导电线,在该第一端和该第二端之间、与该第一半导体图案的侧表面相邻并垂直于衬底的顶表面;第二导电线,与第一半导体图案的第一端接触,与第一导电线间隔开,并平行于衬底的顶表面;以及数据存储图案,与第一半导体图案的第二端接触。第一导电线具有与第一半导体图案的侧表面相邻地突出的突起。

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