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三星取得极紫外曝光设备专利,提高半导体装置制造效率

2023-12-28 14:49:36
金融界
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摘要:金融界2023年12月28日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社取得一项名为“极紫外曝光设备和使用该设备制造半导体装置的方法”,授权公告号CN111880374B,申请日期为2019年12月。专利摘要显示,公开了一种极紫外(EUV)曝光设备和使用该设备制造半导体装置的方法。该EUV曝光设备包括:室;EUV源,在室中并被构造为产生EUV束;光学系统,在EUV源上方并被构造为将EUV束提供到基底;基底台,在室中并被构造为接收基底;掩模台,在室中并被构造为保持掩模,掩模被构造为将EUV束投射到基底上;以及等离子体源,被构造为将等离子体提供到掩模,以使通过EUV束充电的掩模为电中性。

金融界2023年12月28日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社取得一项名为“极紫外曝光设备和使用该设备制造半导体装置的方法”,授权公告号CN111880374B,申请日期为2019年12月。

专利摘要显示,公开了一种极紫外(EUV)曝光设备和使用该设备制造半导体装置的方法。该EUV曝光设备包括:室;EUV源,在室中并被构造为产生EUV束;光学系统,在EUV源上方并被构造为将EUV束提供到基底;基底台,在室中并被构造为接收基底;掩模台,在室中并被构造为保持掩模,掩模被构造为将EUV束投射到基底上;以及等离子体源,被构造为将等离子体提供到掩模,以使通过EUV束充电的掩模为电中性。

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