台积电取得半导体装置专利，提供一种半导体装置lg...

摘要：金融界2023年12月25日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体装置“，授权公告号CN220233201U，申请日期为2023年4月。专利摘要显示，本实用新型提供一种半导体装置。根据本公开的一种示例性半导体装置包括设置在一基底上方并沿一第一方向耦合到一源极/漏极部件的多个通道构件、环绕所述通道构件的各个通道构件的一栅极结构、以及邻近于所述源极/漏极部件设置且沿着大致垂直于所述第一方向的一第二方向延伸的一介电间隔物，其中所述源极/漏极部件包括至少两个半导体层，并且前述至少两个半导体层中的每一个半导体层是与所述介电间隔物直接接触。