台积电取得半导体器件及其形成方法专利，提供了形成半导体器件的方法和半导体器件lg...

摘要：金融界2023年12月20日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体器件及其形成方法“，授权公告号CN110957224B，申请日期为2019年9月。专利摘要显示，本发明的实施例提供了形成半导体器件的方法和半导体器件。方法包括在半导体衬底上方沉积掩模层，蚀刻掩模层以形成图案化掩模，其中，图案化掩模的侧壁包括第一侧壁区域、第二侧壁区域和第三侧壁区域，其中，第一侧壁区域比第二侧壁区域更远离半导体衬底，并且第二侧壁区域比第三侧壁区域更远离半导体衬底，其中，第二侧壁区域从第一侧壁区域和第三侧壁区域横向突出，使用图案化掩模蚀刻半导体衬底以形成鳍，在鳍上方形成栅极堆叠件，以及在邻近栅极堆叠件的鳍中形成源极和漏极区域。