台积电取得半导体制造专利，提升制造半导体器件的方法lg...

摘要：金融界2023年12月20日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“制造半导体器件的方法和半导体器件“，授权公告号CN111128734B，申请日期为2019年9月。专利摘要显示，在制造半导体器件的方法中，在半导体层的沟道区域上方形成伪栅极结构，在伪栅极结构的相对侧上形成源极/漏极外延层，对源极/漏极外延层实施平坦化操作，图案化平坦化的源极/漏极外延层，去除伪栅极结构以形成栅极间隔，以及在栅极间隔中形成金属栅极结构。本发明的实施例还涉及半导体器件。