台积电申请半导体装置与其形成方法专利，实现第一集成电路裸片至第二集成电路裸片的电性内连线lg...

摘要：金融界2023年12月15日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“半导体装置与其形成方法“，公开号CN117238900A，申请日期为2023年8月。专利摘要显示，第一集成电路裸片包括第一基板。第二集成电路裸片包括第二基板。第一基板与该第二基板的至少一者具有第一表面定向。第一集成电路裸片与第二集成电路裸片分开。第三裸片电性内连线第一集成电路裸片至第二集成电路裸片。第三裸片包括第三基板，其具有第二表面定向。第二表面定向不同于第一表面定向。