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联想申请存储器刷新方法专利,提高存储器的刷新效率

2023-12-13 20:29:36
金融界
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摘要:金融界2023年12月13日消息,据国家知识产权局公告,联想(北京)有限公司申请一项名为“存储器的刷新方法以及存储器“,公开号CN117219137A,申请日期为2023年8月。专利摘要显示,本申请提供了一种存储器的刷新方法以及存储器,存储器包括至少一个存储单元行,存储单元行包括多个存储单元以及感测单元,存储单元具有能够表示存储第一数据值的第一状态和能够表示存储第二数据值的第二状态;存储单元由第一状态变化到第二状态具有第一电参数变化阈值;感测单元包括具有能够表示存储第一数据值的第三状态和能够表示存储第二数据值的第四状态,感测单元由第三状态变化到第四状态具有小于第一电参数变化阈值的第二电参数变化阈值;方法包括:对每一存储单元行中的感测单元的电参数进行检测,在感测单元的电参数的变化满足第二电参数变化阈值的情况下,确定感测单元发生状态变化;在感测单元发生状态变化情况下,对存储单元行进行刷新。

金融界2023年12月13日消息,据国家知识产权局公告,联想(北京)有限公司申请一项名为“存储器的刷新方法以及存储器“,公开号CN117219137A,申请日期为2023年8月。

专利摘要显示,本申请提供了一种存储器的刷新方法以及存储器,存储器包括至少一个存储单元行,存储单元行包括多个存储单元以及感测单元,存储单元具有能够表示存储第一数据值的第一状态和能够表示存储第二数据值的第二状态;存储单元由第一状态变化到第二状态具有第一电参数变化阈值;感测单元包括具有能够表示存储第一数据值的第三状态和能够表示存储第二数据值的第四状态,感测单元由第三状态变化到第四状态具有小于第一电参数变化阈值的第二电参数变化阈值;方法包括:对每一存储单元行中的感测单元的电参数进行检测,在感测单元的电参数的变化满足第二电参数变化阈值的情况下,确定感测单元发生状态变化;在感测单元发生状态变化情况下,对存储单元行进行刷新。

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