台积电申请半导体结构及其形成方法专利，实现半导体结构的优化制造lg...

摘要：金融界2023年12月6日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法“，公开号CN117174698A，申请日期为2023年8月。专利摘要显示，本公开实施例提供了方法的实施例。方法包括：图案化衬底以形成沟槽；蚀刻衬底，从而将沟槽修改为具有圆形尖端；在沟槽中形成包括导电层和介电层的堆叠件，其中，导电层和介电层在堆叠件内彼此交替；在第一沟槽中形成绝缘压缩膜，从而密封沟槽中的空隙；以及形成分别连接至导电层的导电插塞。本申请的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。