台积电取得半导体装置专利，有效提升装置性能lg...

摘要：金融界2023年12月5日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体装置及其形成方法“，授权公告号CN112086406B，申请日期为2020年1月。专利摘要显示，半导体装置包括设置在第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域之间的栅极结构以及设置在第一源极/漏极区域上方的第一接触件。该半导体装置包括设置在第二源极/漏极区域上方的第二接触件以及设置在第一接触件和第二接触件之间以及栅极结构上方的气隙。本发明的实施例还涉及形成半导体装置的方法。