广州：鼓励发展光刻胶、光芯片等高端半导体制造材料lg...

《广州开发区 广州市黄埔区促进集成电路产业发展办法》今日印发。其中提出，鼓励发展大硅片、光掩膜、电子气体、光刻胶、抛光材料、高纯靶材、光芯片等高端半导体制造材料，支持清洗设备、光刻机、刻蚀设备、离子注入、沉积设备、封装设备（划片机、减薄机、引线键合机、倒装键合机及贴片机等）、检测设备（测试机、探针台等）以及单晶生长炉、外延生长炉等设备、关键零部件及工具国产化替代。

对当年产值首次达到2000万元、5000万元、1亿元、3亿元、5亿元、10亿元的集成电路装备、材料、零部件类企业，经认定，分别给予20万元、50万元、100万元、200万元、300万元、500万元的扶持，同一企业按差额补足方式最高扶持500万元。

广州市黄埔区工业和信息化局 广州开发区经济和信息化局关于印发广州开发区 广州市黄埔区促进集成电路产业发展办法的通知

区各有关单位：

《广州开发区 广州市黄埔区促进集成电路产业发展办法》业经广州开发区管委会、黄埔区政府同意，现印发实施。执行过程中如遇问题，请径向区工业和信息化局反映。

特此通知。

广州市黄埔区工业和信息化局 广州开发区经济和信息化局

2023年10月27日

广州开发区 广州市黄埔区促进集成电路产业发展办法

第一条【目的】为深入贯彻习近平总书记关于“要聚焦集成电路等重点领域，加快锻造长板、补齐短板，培育一批具有国际竞争力的大企业和具有产业链控制力的生态主导型企业，构建自主可控产业生态”的重要指示精神，大力实施“广东强芯”工程、“制造强市”以及黄埔区“四个万亿”计划。根据《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》（国发〔2020〕8号）、《广东省培育半导体及集成电路战略性新兴产业集群行动计划（2021-2025年）》（粤发改产业〔2020〕338号）、《广州市加快发展集成电路产业的若干措施》（穗工信规字〔2020〕4号》等文件精神，结合本区实际，助力打造中国集成电路第三极核心承载区，制定本办法。

第二条【适用范围】本办法适用于注册登记地、税务征管关系及统计关系在广州开发区、广州市黄埔区及其受托管理和下辖园区（以下简称本区）范围内，有健全财务制度、具有独立法人资格（单独入统的分公司视同具有独立法人资格）、实行独立核算、符合信用管理相关规定的集成电路企业。

本办法所称的集成电路企业是指专门从事集成电路设计、芯片架构设计、EDA及IP开发设计、生产、先进封装测试、装备、材料和零部件等经营活动的相关企业。

第三条【推进产业链强化优化】在CPU（中央处理器）、GPU（图形处理器）、MCU（微处理器）、FPGA（现场可编程门阵列）、存储、AI算法等高端数字芯片，电源管理、显示驱动、射频通信、光通信、ADC/DAC（模数转换）等高端模拟芯片等领域，培育和引进一批具有自主知识产权和行业影响力的高端芯片设计企业。对当年主营业务收入首次达到2000万元、5000万元、1亿元、3亿元、5亿元、10亿元的集成电路设计企业，经认定，分别给予20万元、50万元、100万元、200万元、300万元、500万元的扶持，同一企业按差额补足方式最高扶持500万元。

鼓励企业自主开展基于新器件、新材料、新工艺的ARM、X86及RISC-V芯片架构、EDA及IP研发设计。对当年主营业务收入首次达到2000万元、5000万元、1亿元、3亿元、5亿元、10亿元的集成电路ARM、X86及RISC-V芯片架构、EDA及IP研发设计企业，经认定，分别给予20万元、50万元、100万元、200万元、300万元、500万元的扶持，同一企业按差额补足方式最高扶持500万元。

对主营业务收入连续两年均1亿元以上，且第二年主营业务收入同比增长30%及以上但尚未达到下一档扶持条件的集成电路设计企业、ARM、X86及RISC-V芯片架构、EDA及IP研发设计企业，经认定，给予20万元的扶持，享受本款扶持后企业达到下一档扶持条件的，按差额补足方式给予下一档扶持。

鼓励发展大硅片、光掩膜、电子气体、光刻胶、抛光材料、高纯靶材、光芯片等高端半导体制造材料，支持清洗设备、光刻机、刻蚀设备、离子注入、沉积设备、封装设备（划片机、减薄机、引线键合机、倒装键合机及贴片机等）、检测设备（测试机、探针台等）以及单晶生长炉、外延生长炉等设备、关键零部件及工具国产化替代。对当年产值首次达到2000万元、5000万元、1亿元、3亿元、5亿元、10亿元的集成电路装备、材料、零部件类企业，经认定，分别给予20万元、50万元、100万元、200万元、300万元、500万元的扶持，同一企业按差额补足方式最高扶持500万元。

支持12英寸先进SOI工艺研发，建设FD-SOI（全耗尽绝缘体上硅）工艺研发线、RF-SOI（射频绝缘体上硅）工艺生产线、半导体激光器工艺研发线和生产线，布局碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体衬底、外延片等产线。对当年产值首次达到5亿元、10亿元、20亿元的集成电路生产企业，经认定，分别给予100万元、200万元、400万元的扶持，同一企业按差额补足方式最高扶持400万元。

建设系统级封装、晶圆级封装等高端封装技术生产线，支持开发2.5D/3D异质集成、chiplet（芯粒）等先进封装技术。对当年产值首次达到1亿元、3亿元、5亿元、10亿元的集成电路先进封装测试企业，经认定，分别给予50万元、100万元、200万元、300万元的扶持，同一企业按差额补足方式最高扶持300万元。（责任单位：区工业和信息化局）

第四条【突破产业关键核心技术】对企业研发多项目晶圆（MPW）直接费用、购买光罩（MASK）直接费用和工程片、试流片加工费用的40%给予补贴（相关费用按照不含税计算），每家企业每年累计最高补贴500万元。（责任单位：区科技局）

对企业专业从事ARM、X86及RISC-V芯片架构、EDA及IP开发设计的，对加计扣除后的研发费用按30%的比例给予扶持，每家企业每年累计最高补贴500万元。（责任单位：区工业和信息化局）

第五条【支持国产化自主创新】对区内集成电路企业自行采购符合要求的非关联集成电路企业或机构自主研发设计的光刻、沉积、刻蚀、量测四类设备，且新购置单台（套）设备价值超过500万元的，经认定，每单给予25万元补贴，每家企业每年最高补贴50万元。

对区内集成电路企业自行采购符合要求的非关联集成电路企业或机构自主研发设计的EDA工具及IP授权，且年采购金额累计50万元以上的，经认定，按其当年实际采购金额的10%给予补贴，每家企业每年最高补贴50万元。（责任单位：区工业和信息化局）

第六条【加大投早投小投科技力度】鼓励国企基金重点围绕我区集成电路产业，聚焦产业链、创新链的关键环节、薄弱环节，着眼关键共性技术、前沿引领技术和颠覆性技术突破，加大投资布局，充分发挥基金投资的资金支持、招商带动作用，吸引集聚优质科技型集成电路领域中小企业落户。（责任单位：各区属国企）

对积极投向区内科技型集成电路中小企业的国企基金予以大力支持。（责任单位：区国资局）

第七条【强化基础设施保障】对于集成电路重大战略性项目，其用地、筹建、供电、供水、排污等基础设施建设问题，由所在街道、管委会，行业主管部门以及相关职能部门和单位综合研究依法给予大力保障。

第八条【打造人才高地】加强对集成电路人才的扶持力度，对符合我区人才标准的集成电路人才，按照相关人才政策措施给予大力支持。

第九条【重点扶持】对地方产业生态集聚带动性强、贡献性大的集成电路领域重大战略项目，经管委会、区政府同意，另行予以重点扶持。

第十条【附则】符合本办法规定的同一项目、同一事项同时符合本区其他扶持政策规定（含上级部门要求区里配套或负担资金的政策规定）的，按照从高不重复的原则予以支持，另有规定的除外。本办法条款所涉及的金额均不含税，获得扶持的涉税支出由企业或个人承担。区内企业新设分支机构、变更名称、分拆业务等不属于本政策办法扶持范畴。本办法所涉及的财政资金专款专用，各责任单位适时制定实施细则，且实施细则范围应结合我区工作重点予以确定，具体内容以当年发布的申报指南为准。其中，相关扶持奖励补贴的比例和限额均为上限数额，并且其比例和金额受年度资金预算总量控制。

本办法自印发之日起实施，有效期3年。